Транзистор 2SD1270-P

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 130 до 260
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
• Корпус: TO-220F

Транзисторы серии 2SD1270 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1270-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1270-Q - в диапазоне от 90 до 180, 2SD1270-P - в диапазоне от 130 до 260.Обозначение на корпусе транзистора 2SD1270-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1270-P".Комплементарной парой для 2SD1270-P является транзистор 2SB945-P c p-n-p структурой.Транзистор 2SD1270-P можно заменить на 2SC2898, 2SC3310, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC4242, 2SC5241, 2SD1271, 2SD1271-P, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, 2SD823, 2SD866, 2SD866-P, 2SD866A, 2SD866A-P, MJE13070, MJE13071, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F