Транзистор 2SD1270Цоколевка транзистора 2SD1270Характеристики транзистора 2SD1270- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 260
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1270 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1270-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1270-Q - в диапазоне от 90 до 180, 2SD1270-P - в диапазоне от 130 до 260. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1270 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1270". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1270 является транзистор 2SB945 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1270 можно заменить на 2SC2898, 2SC3310, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC4242, 2SC5241, 2SD1271, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, 2SD823, 2SD866, 2SD866A, MJE13070, MJE13071, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F
|