Транзистор 2SD1616AЦоколевка транзистора 2SD1616AХарактеристики транзистора 2SD1616A- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 400
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1616A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1616AL имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616AK - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616A-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616A-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616A-U - в диапазоне от 300 до 600. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1616A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1616A". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1616A является транзистор 2SB1116A c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1616A можно заменить на KSD1616A
|