Цоколевка транзистора 2SD1616AL
Характеристики транзистора 2SD1616AL
- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 270
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SD1616A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор
2SD1616AL имеет коэффициент усиления в диапазоне от
135 до
270,
2SD1616AK - в диапазоне от
200 до
400,
2SD1616A-L - в диапазоне от
135 до
270,
2SD1616A-K - в диапазоне от
200 до
400,
2SD1616A-U - в диапазоне от
300 до
600.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SD1616AL часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "
D1616AL".
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SD1616AL является транзистор
2SB1116AL c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор 2SD1616AL можно заменить на
2SC2383,
2SC3228,
2SD667,
KSC2383,
KSD1616A,
KSD1616A-Y,
KTC3228