Транзистор 2SD1713Цоколевка транзистора 2SD1713Характеристики транзистора 2SD1713- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1713 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1713-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1713-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SD1713-P - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1713 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1713". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1713 является транзистор 2SB1158 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1713 можно заменить на 2SC3799, 2SD1714, 2SD1715, 2SD1716
|