Транзистор 2SD1715-QЦоколевка транзистора 2SD1715-QХарактеристики транзистора 2SD1715-Q- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 9 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1715 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1715-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1715-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SD1715-P - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1715-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1715-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1715-Q является транзистор 2SB1160-Q c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1715-Q можно заменить на 2SC4388, 2SC4886, 2SC5359, 2SD1716, 2SD1716-Q
|