Транзистор 2SD1716-P

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3PF

Транзисторы серии 2SD1716 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1716-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1716-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SD1716-P - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SD1716-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1716-P".Комплементарной парой для 2SD1716-P является транзистор 2SB1161-P c p-n-p структурой.