Транзистор 2SD755-EЦоколевка транзистора 2SD755-EХарактеристики транзистора 2SD755-E- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 400 до 800
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD755 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD755-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SD755-E - в диапазоне от 400 до 800, 2SD755-F - в диапазоне от 600 до 1200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD755-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D755-E". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD755-E является транзистор 2SB715-E c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD755-E можно заменить на 2SC1775A, 2SC1775A-E, 2SC1841, 2SC1841E, 2SC1845, 2SC1845E, 2SC2326, 2SC2326K, 2SC2544, 2SC2544-E, 2SC2547, 2SC2547-E, 2SC2547E, 2SC3245, 2SC3245-G, 2SC3245A, 2SD756, 2SD756-E, KSC1845, KSC1845E
|