Транзистор 2SD755Цоколевка транзистора 2SD755Характеристики транзистора 2SD755- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250 до 1200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD755 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD755-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SD755-E - в диапазоне от 400 до 800, 2SD755-F - в диапазоне от 600 до 1200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD755 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D755". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD755 является транзистор 2SB715 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD755 можно заменить на 2SC1841, 2SC1845, 2SC2544, KSC1845
|