Транзистор 2SD756-DЦоколевка транзистора 2SD756-DХарактеристики транзистора 2SD756-D- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250 до 500
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD756 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD756-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SD756-E - в диапазоне от 400 до 800. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD756-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D756-D". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD756-D является транзистор 2SB716-D c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD756-D можно заменить на 2SC1841, 2SC1845, 2SC2240, 2SC2326K, 2SC2544, 2SC2544-D, 2SC2547, 2SC2547-D, 2SC2547D, 2SC3200, 2SC3245, 2SC3245-F, 2SC3245A, 2SC3245A-F, 2SC3478, 2SD756A, 2SD756A-D, KSC1845, KTC3200
|