Транзистор 2SD811

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 900 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 10 до 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-3

Обозначение на корпусе транзистора 2SD811 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D811".Транзистор 2SD811 можно заменить на 2SD821, 2SD822, 2SD871, BUX48A, MJ8504, MJ8505