Транзистор BCP51

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 125 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарной парой для BCP51 является транзистор BCP54 c n-p-n структурой.Транзистор BCP51 можно заменить на BCP52, BCP53, BDP952, BDP954, BDP956