Транзистор BCP53-10

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 63 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 125 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарной парой для BCP53-10 является транзистор BCP56-10 c n-p-n структурой.Транзистор BCP53-10 можно заменить на BCP53, BDP952, BDP954, BDP956