Транзистор BD679Цоколевка транзистора BD679Характеристики транзистора BD679- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
- Корпус: TO-126
Комплементарная параКомплементарной парой для BD679 является транзистор BD680 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BD679 можно заменить на 2N6039, 2N6039G, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803, MJE803G
|