Транзистор BD681G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD681G является транзистор BD682G c p-n-p структурой.Транзистор BD681G можно заменить на BD681