Транзистор BD680GЦоколевка транзистора BD680GХарактеристики транзистора BD680G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
- Корпус: TO-126
Комплементарная параКомплементарной парой для BD680G является транзистор BD679G c n-p-n структурой. АналогиТранзистор BD680G можно заменить на 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G
|