Транзистор BD682G

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD682G является транзистор BD681G c n-p-n структурой.Транзистор BD682G можно заменить на BD682