Транзистор BD709

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 15 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BD709 является транзистор BD710 c p-n-p структурой.Транзистор BD709 можно заменить на BD711, BD909, BD911