Транзистор BD710

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 15 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BD710 является транзистор BD709 c n-p-n структурой.Транзистор BD710 можно заменить на BD712, BD910, BD912