Транзистор BD785

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD785 является транзистор BD786 c p-n-p структурой.Транзистор BD785 можно заменить на BD189, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244