Транзистор BD829

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
• Корпус: TO-202

Транзисторы серии BD829 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD829-6 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 100, BD829-10 - в диапазоне от 63 до 160.Комплементарной парой для BD829 является транзистор BD830 c p-n-p структурой.