Транзистор BD830

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 75 МГц
• Корпус: TO-202

Транзисторы серии BD830 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD830-6 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 100, BD830-10 - в диапазоне от 63 до 160.Комплементарной парой для BD830 является транзистор BD829 c n-p-n структурой.