Транзистор BDT60CЦоколевка транзистора BDT60CХарактеристики транзистора BDT60C- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для BDT60C является транзистор BDT61C c n-p-n структурой. АналогиТранзистор BDT60C можно заменить на BD652, BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW54D, BDW64D, BDW74D, BDX34D
|