Транзистор BDT61CЦоколевка транзистора BDT61CХарактеристики транзистора BDT61C- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для BDT61C является транзистор BDT60C c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDT61C можно заменить на BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW53D, BDW63D, BDW73D, BDX33D
|