Транзистор BDT63AЦоколевка транзистора BDT63AХарактеристики транзистора BDT63A- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для BDT63A является транзистор BDT62A c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDT63A можно заменить на 2N6388, 2N6388G, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP142T
|