Транзистор BDT82

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT82 является транзистор BDT81 c n-p-n структурой.Транзистор BDT82 можно заменить на BD546A, BD546B, BD546C, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJF6668, MJF6668G