Транзистор BDT81

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT81 является транзистор BDT82 c p-n-p структурой.Транзистор BDT81 можно заменить на BD545A, BD545B, BD545C, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJF6388, MJF6388G