Транзистор BDT93FЦоколевка транзистора BDT93FХарактеристики транзистора BDT93F- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 32 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-220F
Комплементарная параКомплементарной парой для BDT93F является транзистор BDT94F c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDT93F можно заменить на BDT93, BDT95, BDT95F
|