Транзистор BDW51AЦоколевка транзистора BDW51AХарактеристики транзистора BDW51A- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 до 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для BDW51A является транзистор BDW52A c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDW51A можно заменить на 2N6282, 2N6282G, 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2N6471, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2431, 2SC2432, 2SC2433, 2SC2434, 2SD753, 2SD753-C, 2SD797, BDW51B, BDW51C, BUX48, BUX48A, MJ10000, MJ10001, MJ11018, MJ11020, MJ11022, MJ11022G, MJ12022, MJ15001, MJ15001G, MJ15003, MJ15003G
|