Транзистор BDX66BЦоколевка транзистора BDX66BХарактеристики транзистора BDX66B- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -16 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для BDX66B является транзистор BDX67B c n-p-n структурой. АналогиТранзистор BDX66B можно заменить на BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G, MJ4032
|