Транзистор HSB1109S-C

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии HSB1109S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSB1109S-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSB1109S-C - в диапазоне от 100 до 200, HSB1109S-D - в диапазоне от 160 до 320.Комплементарной парой для HSB1109S-C является транзистор HSD1609S-C c n-p-n структурой.Транзистор HSB1109S-C можно заменить на 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1370, 2SA1370-E, 2SA1371, 2SA1371-E, 2SA1624, 2SA1624-E, 2SA1625, 2SA1625-K, KSA1013, KSA1013O, KSA1625, KSA1625-K, KTA1275, KTA1275O, KTA1277, KTA1277Y, KTA1279