Транзистор KSB985-OЦоколевка транзистора KSB985-OХарактеристики транзистора KSB985-O- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
- Ток коллектора, не более: 1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 4000 до 10000
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии KSB985 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB985-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, KSB985-O - в диапазоне от 4000 до 10000, KSB985-Y - в диапазоне от 8000 до 30000. Комплементарная параКомплементарной парой для KSB985-O является транзистор KSB794-O c p-n-p структурой. АналогиТранзистор KSB985-O можно заменить на 2SD1692, 2SD1692-L, 2SD985, 2SD985-L, 2SD986, 2SD986-L, KSB986, KSB986-O, KSD1692, KSD1692-Y
|