Транзистор KTB817B

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -140 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии KTB817B делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KTB817B-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, KTB817B-Y - в диапазоне от 100 до 200.Комплементарной парой для KTB817B является транзистор KTD1047B c n-p-n структурой.Транзистор KTB817B можно заменить на 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817