Транзистор MG6330-RЦоколевка транзистора MG6330-RХарактеристики транзистора MG6330-R- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 260 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 260 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 140
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
- Корпус: TO-3P
Комплементарная параКомплементарной парой для MG6330-R является транзистор MG9410-R c p-n-p структурой. АналогиТранзистор MG6330-R можно заменить на 2SC3320, 2SC6145A, 2SC6145A-Y, 2SD1313, MG6331-R
|