Транзистор MJ11016G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 30 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ11016G является транзистор MJ11015G c p-n-p структурой.Транзистор MJ11016G можно заменить на MJ11016, MJ11032, MJ11032G