Транзистор MJ11031G

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -90 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000 до 18000
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ11031G является транзистор MJ11030G c n-p-n структурой.Транзистор MJ11031G можно заменить на MJ11031, MJ11033, MJ11033G