Транзистор MJD112G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарной парой для MJD112G является транзистор MJD117G c p-n-p структурой.Транзистор MJD112G можно заменить на MJD112, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4, MJD122T4G