Транзистор MJD117G

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарной парой для MJD117G является транзистор MJD112G c n-p-n структурой.Транзистор MJD117G можно заменить на MJD117, MJD117T4, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4, MJD127T4G