Транзистор MJD340GЦоколевка транзистора MJD340GХарактеристики транзистора MJD340G- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 300 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 3 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 240
- Корпус: TO-252
АналогиТранзистор MJD340G можно заменить на MJD340, MJD340T4, MJD340T4G
|