Транзистор MJD340T4GЦоколевка транзистора MJD340T4GХарактеристики транзистора MJD340T4G- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 300 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 3 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 240
- Корпус: TO-252
АналогиТранзистор MJD340T4G можно заменить на MJD340, MJD340G, MJD340T4
|