Транзистор MJE5170

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 15 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 1 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для MJE5170 является транзистор MJE5180 c n-p-n структурой.Транзистор MJE5170 можно заменить на MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G