Транзистор MJE5730GЦоколевка транзистора MJE5730GХарактеристики транзистора MJE5730G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -300 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-220
АналогиТранзистор MJE5730G можно заменить на MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G
|