Цоколевка транзистора SS8050D
Характеристики транзистора SS8050D
- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 300
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии SS8050 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор
SS8050B имеет коэффициент усиления в диапазоне от
85 до
160,
SS8050C - в диапазоне от
120 до
200,
SS8050D - в диапазоне от
160 до
300.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для SS8050D является транзистор
SS8550D c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор SS8050D можно заменить на
MPS650,
MPS650G,
MPS651,
MPS651G,
MPS8050,
MPS8050D,
ZTX690B