Транзистор STD02N-OЦоколевка транзистора STD02N-OХарактеристики транзистора STD02N-O- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 130 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 12000
- Корпус: TO-3P-5
Классификация по hFEТранзисторы серии STD02N делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор STD02N-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, STD02N-Y - в диапазоне от 8000 до 20000. Комплементарная параКомплементарной парой для STD02N-O является транзистор STD02P-O c p-n-p структурой. АналогиТранзистор STD02N-O можно заменить на STD03N, STD03N-O
|