Транзистор IRF6706S2
Цоколевка транзистора IRF6706S2Характеристики транзистора IRF6706S2- Корпус - DIRECTFET S1
- Напряжение пробоя сток-исток 25 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм
- Ток стока 63 А
- Заряд затвора 13.0 нКл
- Термосопротивление 5.7 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 26 Вт
|