Транзистор IRF6691
Цоколевка транзистора IRF6691Характеристики транзистора IRF6691- Корпус - DIRECTFET MT
- Напряжение пробоя сток-исток 20 В
- Максимальное напряжение затвора 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм
- Заряд затвора 47.0 нКл
- Термосопротивление 1.4 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 2.0 Вт
|