Транзистор IRF6708S2
Цоколевка транзистора IRF6708S2Характеристики транзистора IRF6708S2- Корпус - DIRECTFET S1
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 8.9 мОм
- Ток стока 36 А
- Заряд затвора 6.6 нКл
- Термосопротивление 7.6 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 20 Вт
|