Транзистор IRFH5010
Цоколевка транзистора IRFH5010Характеристики транзистора IRFH5010- Корпус - PQFN 5 X 6 B
- Напряжение пробоя сток-исток 100 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
- Ток стока 100 А
- Заряд затвора 65.0 нКл
- Термосопротивление 0.50 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 250 Вт
|