Транзистор 2Т819В
Цоколевка транзистора 2Т819ВОбозначение транзистора 2Т819В на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора 2Т819В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора 2Т819В- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000 (20000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 3(100) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20-225
- Обратный ток коллектора <=1000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ
|