Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ819ГМ

Цоколевка транзистора КТ819ГМ

Обозначение транзистора КТ819ГМ на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ819ГМ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ819ГМ

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(100) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225
Обратный ток коллектора <=1000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ

Аналоги транзистора КТ819ГМ

2SD716, 2SD843, BDW21C, BDW51B, BDW51C, BDX10, BDх10C, BDх95, BDY20, BDY38, BDY73, 2N3055, 2N3055E, 2N6472, BD183

Смотрите также:

	2Т819Б
	2Т819В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная